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可进行渗碳，光洁淬火，碳氮共渗等热工艺。采用辐射管加热，辐射管是由耐火陶瓷盘固定的电阻丝装于一个密封耐热钢管中。

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用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单，容易实现自动控制，生产效率高，易于大直径单晶，容易控制单晶中杂质浓度，可以低电阻率单晶。据统计，上硅单晶的产量中70％～80％是用直拉法生产的。目前晶体生长设备的现状\江南电力光伏科技有限江南电力光伏科技有限。直拉法引进消化吸收国外技术研发环保清洁可再生新能源产品——太阳能光伏发电站和风力发电站的相关设备。也叫切克劳斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法其中硅单晶生长炉设备有两大系列三个品种。因此在投资单晶生长企业的前期，一定要根据生长设备，配置出合理的热场，从而保生产出来的单晶的品质。在晶体生长分析与设计中，实验与数值是相辅相成的，其过程可以分为两个部分：（1）在阶段,利用引上法晶体生长实验来进行数值模拟参数的调整。（2）在第二阶段,利用数值模拟是用来确定佳的晶体生长工艺参数。